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通过多孔硅技术形成构图的绝缘体上硅/悬空硅复合结构

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提供一种构图的SOI/SON复合结构及形成该结构的方法。在该SOI/SON复合结构中，构图的SOI/SON结构夹在Si表层与半导体衬底之间。形成该构图的SOI/SON复合结构的方法包括其中将SOI和SON结构一起形成的共有处理步骤。本发明还提供一种用于形成包括掩埋导电/SON结构的复合结构的方法，以及一种用于形成仅包括掩埋的空隙平面的复合结构的方法。

著录项

公开/公告号CN100461367C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-02-11

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN200480041533.9
发明设计人罗伯特·E·本德内格尔;崔广洙;比詹·戴瓦里;基思·E·福格尔;德延德拉·K·萨达纳;格瓦姆·G·沙希迪;桑迪普·蒂沃里;
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申请日2004-02-19
分类号H01L21/762(20060101);H01L21/764(20060101);H01L21/3063(20060101);H01L21/265(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人朱海波
地址美国纽约阿芒克
入库时间 2022-08-23 09:01:42

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-12-01

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/762 登记生效日:20171110 变更前: 变更后: 申请日:20040219

专利申请权、专利权的转移
2017-12-01

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/762 登记生效日:20171110 变更前: 变更后: 申请日:20040219

专利申请权、专利权的转移
2009-02-11

授权

授权
2009-02-11

授权

授权
2007-04-11

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-04-11

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-02-14

公开

公开
2007-02-14

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