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提高电容老化效率及抑制电容漏电回升方法

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本发明涉及提高电容老化效率及抑制电容漏电回升方法，属于电容器老化的技术领域，其包括以下步骤：S1：采用老化电源对电容进行大电流升压，大电流为6‑20mA/只，电容的电压升到的工作电压后，保持0.8‑1.2h；S2：在80‑90℃的条件下,对电容加压，起始电压为电容的工作电压，然后升压到老化电压，持续3‑4h。本发明具有有效抑制产品的漏电流回升速度的效果。

著录项

公开/公告号CN110676054B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-29

原文格式PDF
申请/专利权人富之庆电子(深圳)有限公司;
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申请/专利号CN201910912939.8
发明设计人江国栋;欧德虎;
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申请日2019-09-25
分类号H01G9/00(20060101);H01G13/00(20130101);
代理机构
代理人
地址 518000 广东省深圳市宝安区松岗街道东方大田洋工业区田洋一路(富之庆电子厂)一层东面、二层三层
入库时间 2022-08-23 12:02:33

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