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一种具有全向辐射能力的相对论磁控管输出结构

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本发明公开了一种具有全向辐射能力的相对论磁控管输出结构，属于微波技术领域。该结构包括依次连接的第一过渡段、带脊同轴波导、第二过渡段、辐射结构，通过第一过渡段、带脊同轴波导、第二过渡段将相对论磁控管过渡到辐射结构。辐射结构通过切割波导壁上的角向电流激励缝隙单元，缝隙单元与轴线呈一定夹角，从而实现电磁波的辐射。本发明解决了基于相对论磁控管的高功率微波辐射系统结构复杂、输出功率低、磁场线圈庞大、存在模式跳变风险等问题。

著录项

公开/公告号CN111524770B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-06

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
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申请/专利号CN202010325721.5
发明设计人李浩;罗鸣;汪海洋;胡标;李天明;何超雄;
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申请日2020-04-23
分类号H01J23/48(20060101);H01J25/55(20060101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人邓黎
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 12:04:35

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