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基于磁子阀和磁子结的磁子磁电阻和自旋霍尔磁电阻器件

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摘要

本发明涉及基于磁子阀和磁子结的磁子磁电阻器件和自旋霍尔磁电阻器件。根据一实施例，一种磁子磁电阻器件可包括：第一磁子传导层；设置在所述第一磁子传导层上的第二磁子传导层；以及设置在所述第一磁子传导层和所述第二磁子传导层之间的中间层，其中，所述第一磁子传导层和所述第二磁子传导层由磁性绝缘材料形成，所述中间层由非磁金属或反铁磁绝缘体或反铁磁金属材料形成。

著录项

公开/公告号CN109755383B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-09

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院物理研究所;
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申请/专利号CN201910125883.1
发明设计人韩秀峰;郭晨阳;万蔡华;
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申请日2019-02-20
分类号H01L43/08(20060101);H01L43/06(20060101);H01L43/10(20060101);
代理机构11497 北京市正见永申律师事务所;
代理人黄小临;冯玉清
地址 100190 北京市海淀区中关村南三街8号
入库时间 2022-08-23 12:06:20

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