首页> 中国专利> 磁性隧道结的参考层的制备方法、磁性隧道结的制备方法

磁性隧道结的参考层的制备方法、磁性隧道结的制备方法

摘要

本发明提供了一种磁性隧道结的参考层的制备方法、磁性隧道结的制备方法。该磁性隧道结的参考层的制备方法包括采用沉积工艺设置参考层的各膜层,采用等离子体处理各膜层中的一层或多层,以及对等离子体处理后的各膜层中的一层或多层进行退火处理。利用退火处理对等离子体处理之后的一层或多层膜层进行原位热处理,进而减少或者消除等离子体处理可能造成的损伤或缺陷,改善参考层的表面特性,进而提高具有该参考层的磁性隧道结的综合性能,比如提高磁性隧道结的TMR值,降低其RA值。

著录项

  • 公开/公告号CN107958954B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201610898458.2

  • 发明设计人 刘鲁萍;简红;蒋信;

    申请日2016-10-14

  • 分类号H01L43/12(20060101);H01L43/08(20060101);

  • 代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人赵囡囡;梁文惠

  • 地址 311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311

  • 入库时间 2022-08-23 12:08:02

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号