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用于测量光刻过程的参数的方法与设备及用于实施这种方法与设备的计算机程序产品

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本发明公开一种测量与衬底上的结构相关的感兴趣的参数的方法及相关联的量测设备。所述方法包括确定校正以补偿测量条件对来自多个测量信号中的测量信号的作用，其中所述多个测量信号中的每个测量信号由在所述测量条件的不同变化下执行的对所述结构的不同测量产生。所述校正接着用于所述结构的数学模型的重构，以抑制所述测量条件的变化对所述重构的影响。

著录项

公开/公告号CN109906409B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-16

原文格式PDF
申请/专利权人 ASML荷兰有限公司;
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申请/专利号CN201780068264.2
发明设计人 H·A·J·克拉默;B·O·夫艾格金格奥尔;
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申请日2017-10-23
分类号G03F7/20(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人张启程
地址荷兰维德霍温
入库时间 2022-08-23 12:08:40

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1. 用于测量光刻过程的参数的方法与设备及用于实施这种方法与设备的计算机程序产品 [P] . 中国专利： CN109906409B . 2021.07.16
2. 用于测量光刻过程的参数的方法与设备及用于实施这种方法与设备的计算机程序产品 [P] . 中国专利： CN109906409A . 2019-06-18
3. Method and apparatus for measuring a parameter of a lithographic process, computer program products for implementing such methods and apparatus [P] . 美国专利： US10394135B2 . 2019-08-27

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