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公开/公告号CN109133666B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-27
原文格式PDF
申请/专利权人 陕西科技大学;
申请/专利号CN201811088056.1
发明设计人 谈国强;刘云;郭美佑;薛敏涛;任慧君;夏傲;
申请日2018-09-18
分类号C03C17/34(20060101);
代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;
代理人徐文权
地址 710021 陕西省西安市未央区大学园1号
入库时间 2022-08-23 12:12:32
机译: 硅团簇超晶格,硅团簇超晶格的制备方法,硅团簇的制备方法,硅团簇超晶格结构,硅团簇超晶格结构的制备方法,半导体器件和量子器件
机译: 半导体层结构具有超晶格,该超晶格具有一种成分和另一种成分的连接半导体的交替堆叠层,其中堆叠层具有特定浓度的掺杂剂
机译: 具有超晶格的场效应型薄膜台面晶体管
机译:反相工作模式下具有多个S形负微分电阻开关的高性能InGaP / GaAs超晶格发射极双极晶体管
机译:杂交外延BTO的室温铁磁共振? BFO / LSMO磁电复合材料
机译:不添加磁性元素的方解石化合物,超晶格薄膜具有巨大的磁阻效应-通过结构相变展示拓扑绝缘和Rashba效应
机译:反应性固相外延-一种新的具有超晶格结构的复合氧化物单晶薄膜生长方法-
机译:通过脉冲激光沉积生长的功能性复合氧化物薄膜和相关超晶格
机译:完全透明和灵敏度可编程的无定形铟 - 氧化锌基氧化物薄膜晶体管的生物传感器平台具有电阻开关存储器
机译:非极性电阻存储器开关,具有所有四种可能的电阻 非晶三元稀土LaHoO3薄膜的开关模式
机译:在错切基底上生长的YBCO / pBCO超晶格薄膜的各向异性电阻率