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用于读取P型场效应晶体管(PFET)传递栅极存储器位胞元的基于PFET的读出放大器，和相关存储器系统和方法

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本发明揭示用于读取PFET传递栅极存储器位胞元(“位胞元”)的基于P型场效应晶体管PFET的读出放大器。还揭示相关方法和系统。读出放大器设置于存储器系统中以感测所述位胞元的位线电压以用于读取存储于所述位胞元中的数据。已观察到，随着节点技术的大小按比例缩小，PFET驱动电流(即，驱动强度)超出类似标定尺寸FET应有的N型场效应晶体管NFET驱动电流。就此而言，在一个方面，基于PFET的读出放大器设置于存储器系统中以增加对所述位胞元的存储器读取次数，从而改善存储器读取性能。

著录项

公开/公告号CN107210059B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-27

原文格式PDF
申请/专利权人高通股份有限公司;
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申请/专利号CN201680009661.8
发明设计人 H·H·阮;F·I·阿塔拉;K·A·柏曼;D·J·W·昂基纳;郑志勋;
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申请日2016-02-02
分类号G11C7/06(20060101);G11C7/08(20060101);G11C11/412(20060101);G11C11/419(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人赵腾飞
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 12:12:48

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