首页> 中国专利> 一种阴离子化合物插层g-C₃N₄复合膜的制备方法及其应用

一种阴离子化合物插层g-C₃N₄复合膜的制备方法及其应用

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

本发明公开了一种阴离子化合物插层g‑C₃N₄复合膜的制备方法及其应用，首先通过热聚合方法得到体相g‑C₃N₄；再经过物理剥离得到g‑C₃N₄纳米片分散液；最后将阴离子化合物和g‑C₃N₄纳米片分散液混合沉积在多孔基底膜上，即得到阴离子化合物插层g‑C₃N₄复合膜。与现有的技术相比，本发明制备的阴离子化合物插层g‑C₃N₄复合膜有更高的水通量以及更优异的选择性。

著录项

公开/公告号CN109772183B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-13

原文格式PDF
申请/专利权人合肥工业大学;
展开▼

申请/专利号CN201910206629.4
发明设计人冉瑾;潘婷;储成全;
展开▼

申请日2019-03-19
分类号B01D71/52(20060101);B01D71/02(20060101);B01D67/00(20060101);C02F1/44(20060101);C02F101/30(20060101);
代理机构34101 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司;
代理人乔恒婷
地址 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
入库时间 2022-08-23 12:18:21

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种阴离子化合物插层g-C₃N₄复合膜的制备方法及其应用 [P] . 中国专利： CN109772183B . 2021.08.13
2. 一种阴离子插层改性水滑石的制备方法、产品及在PVC硬制品中的应用 [P] . 中国专利： CN105085985B . 2018.04.27
3. HYDROTALCITE-BASED COMPOUND HAVING AT LEAST ONE OF SILICON-, PHOSPHORUS- AND BORON-BASED POLY-OXOACID ANIONS AND AT LEAST ONE OTHER ANION AS PART AND/OR ALL OF INTERCALATED ANIONS, ITS PRODUCTION, IR ABSORBER FOR AGRICULTURAL FILM AND AGRICULTURAL FILM CONTAINING THE ABSORBER [P] . 日本专利： JP2001002408A . 2001-01-09

机译：水滑石基化合物中至少有一种硅，磷和硼基聚氧酸阴离子，以及至少一种其他阴离子作为部分和/或所有插层阴离子，其生产，用于农膜和农用膜的红外吸收剂避难所
4. METHOD FOR PREPARING PHYLLOSILICATE-INTERCALATION COMPOUNDS BY INTERCALATION OF INTERCALATE COMPOUNDS, INTERCALATION COMPOUNDS PREPARED THEREBY AND USES THEREOF [P] . 韩国专利： KR20040055631A . 2004-06-26

机译：一种通过插层化合物的制备制备插层化合物的方法，由此制备的插层化合物及其用途
5. Method for manufacturing anion-layered double hydroxide intercalation compounds and compounds produced thereby [P] . 美国专利： US6852670B1 . 2005-02-08

机译：阴离子层状双氢氧化物插层化合物的制备方法及由此制备的化合物

一种阴离子化合物插层g-C3N4复合膜的制备方法及其应用

摘要

著录项

相似文献

一种阴离子化合物插层g-C₃N₄复合膜的制备方法及其应用