首页> 中国专利> 磁阻式存储单元以及磁阻式随机存取存储器电路

磁阻式存储单元以及磁阻式随机存取存储器电路

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明提供一种磁阻式存储单元以及磁阻式随机存取存储器电路。磁阻式存储单元具有固定磁轴层、第一自由磁轴层、第二自由磁轴层，以及分别设置于固定磁轴层与第一自由磁轴层之间以及第一与第二自由磁轴层之间的绝缘层。位线是耦接于磁阻式存储单元，用以提供第一磁场。第一编程线与第二编程线分别提供第二磁场与第三磁场以结合第一磁场而分别改变第一自由磁轴层与第二自由磁轴层至少一者的磁轴方向。开关装置是耦接于磁阻式存储单元以及第一编程线与第二编程线的一者之间，具有一控制闸。字符线是耦接于控制闸，用以提供信号以导通开关装置。

著录项

公开/公告号CN100461292C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-02-11

原文格式PDF
申请/专利权人台湾积体电路制造股份有限公司;
展开▼

申请/专利号CN200410070909.0
发明设计人林文钦;邓端理;
展开▼

申请日2004-07-13
分类号G11C11/15(20060101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人王一斌
地址台湾省新竹科学工业园区
入库时间 2022-08-23 09:01:51

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-02-11

授权

授权
2005-04-13

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-02-09

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 磁阻式存储单元以及磁阻式随机存取存储器电路 [P] . 中国专利： CN100461292C . 2009.02.11
2. 磁阻式存储单元以及磁阻式随机存取存储器电路 [P] . 中国专利： CN2757293Y . 2006-02-08
3. Integrated Circuit, Memory Cell Arrangement, Thermal Select Magneto-Resistive Memory Cell, Method of Operating a Thermal Select Magneto-Resistive Memory Cell, and Method of Manufacturing a Thermal Select Magneto-Resistive Memory Cell [P] . 美国专利： US2009251950A1 . 2009-10-08

机译：集成电路，存储单元布置，热选择磁阻存储单元，操作热选择磁阻存储单元的方法以及制造热选择磁阻存储单元的方法
4. Magneto-resistance effect element magneto-resistance effect memory cell, MRAM, and method for performing information write to or read from the magneto-resistance effect memory cell [P] . 美国专利： US7018725B2 . 2006-03-28

机译：磁阻效应元件磁阻效应存储单元，MRAM以及用于执行向磁阻效应存储单元写入或从磁阻效应存储单元读取信息的方法
5. Magneto-resistance effect element, magneto-resistance effect memory cell, MRAM and method for performing information write to or read from the magneto-resistance effect memory cell [P] . 美国专利： US6436526B1 . 2002-08-20

机译：磁阻效应元件，磁阻效应存储单元，MRAM以及用于执行向磁阻效应存储单元写入或从磁阻效应存储单元读取信息的方法