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一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片及单晶硅生长炉

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本发明提供一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片，包括第一折射层和第二折射层，所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同，所述第一折射层和所述第二折射层相互交替形成层叠结构，所述第一折射层和与之相邻设置的第二折射层相贴合；在此基础上，本发明还提供一种单晶硅生长炉，所述薄膜隔热片设置在所述单晶硅生长炉中的热屏上；本发明提供一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片，在热辐射波长范围内具有良好的反射性能，当将其设置在热屏上以应用于单晶硅生长炉中时，能够提高热屏对热能的反射能力，降低熔融的硅熔体热量的耗散，提高热能利用率；并且有利于热场的保温性能，从而有利于提高热场的质量以提高单晶硅生长的质量和产量。

著录项

公开/公告号CN111893558B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-17

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新昇半导体科技有限公司;
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申请/专利号CN202010625055.7
发明设计人魏星;魏涛;李名浩;栗展;刘赟;薛忠营;
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申请日2020-07-01
分类号C30B15/00(20060101);C30B29/06(20060101);
代理机构44202 广州三环专利商标代理有限公司;
代理人郝传鑫;贾允
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 12:18:52

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