公开/公告号CN107636216B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-24
原文格式PDF
申请/专利权人 小利兰·斯坦福大学托管委员会;
申请/专利号CN201680018223.8
申请日2016-03-24
分类号D01F9/12(20060101);B82Y10/00(20060101);B82Y30/00(20060101);B82Y40/00(20060101);H01B1/04(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人高宏伟;江磊
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 12:22:16
机译: 隔离半导体单壁纳米管或金属单壁纳米管及其方法
机译: 金属单壁碳纳米管的破坏性如何,半导体单壁碳纳米管组件的制造方法,半导体单壁碳纳米管薄膜的制造方法,半导体单壁碳纳米管的破坏性方法,金属单壁碳纤维纳米管集合体的制造方法,金属单壁碳纳米管薄膜的制造方法以及碳纳米管FET电子器件的制造方法
机译: 使用无载体金属催化剂生产单壁纳米管的方法以及根据该方法生产的单壁纳米管