公开/公告号CN111733451B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-31
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN202010649845.9
申请日2020-07-08
分类号C30B19/12(20060101);C30B19/10(20060101);C30B29/52(20060101);C30B33/00(20060101);B22F3/105(20060101);B33Y10/00(20150101);B33Y50/02(20150101);
代理机构23213 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司;
代理人侯静
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2022-08-23 12:23:35
机译: 消除非放射性激光剥落重熔,再扩散和再沉积的放射性同位素污染的表面方法
机译: 激光或等离子沉积焊接工艺的过程控制方法,其中工件通过可用于焊接操作的激光或等离子束熔化
机译: 非晶半导体膜的双离子束沉积