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一种基于开关瞬态频率信息的薄膜电容器ESL提取方法

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本发明公开了一种基于开关瞬态频率信息的薄膜电容器ESL提取方法，按以下步骤进行：a、搭建碳化硅MOSFET双脉冲测试平台；其中待测电容器作为碳化硅MOSFET双脉冲测试平台的母线电容，嵌入寄生参数已知的叠层母排中；b、测量碳化硅MOSFET开通或关断瞬态的电压波形，并利用傅里叶变换，提取待测电容器与叠层母排的寄生电容之间回路所激发的电压欠阻尼振荡频率；c、根据测量的电压欠阻尼振荡频率，计算待测电容器的内部ESL。本发明搭建的碳化硅MOSFET双脉冲测试平台具有低成本与小型化的优点，在ESL的提取过程中避免了电容本体的大电流振荡，且无需额外的短路测试，具备较高的测试安全性。

著录项

公开/公告号CN112433097B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-28

原文格式PDF
申请/专利权人浙江大学;
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申请/专利号CN202011229111.1
发明设计人胡斯登;王明阳;梁梓鹏;何湘宁;
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申请日2020-11-06
分类号G01R27/26(20060101);G01R31/00(20060101);G01R23/16(20060101);
代理机构33294 杭州万合知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人丁海华;万珠明
地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号浙江大学玉泉校区
入库时间 2022-08-23 12:32:37

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