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一种负载在碳布基底上的钴镍双金属偏磷酸盐纳米阵列的制备方法

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摘要

一种负载在碳布基底上的钴镍双金属偏磷酸盐纳米阵列的制备方法，本发明涉及双金属偏磷酸盐修饰碳纳米复合材料的制备方法领域。本发明要解决现有阳极催化剂稳定性及催化活性低，并且贵金属及其氧化物成本高的技术问题。本方法：首先通过共沉淀法将Co基双金属MOFs均匀生长在导电碳布上，得到CoNi(n)‑ZIF纳米阵列，然后对其进行低温固相磷酸化反应，得到Co2‑xNixP4O12‑C纳米阵列催化剂。本发明催化剂为非贵金属催化剂，降低了反应成本，对氧气的析出有很好的催化活性。本发明制备的材料用于电解水析氧反应中。

著录项

公开/公告号CN110124704B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-01

原文格式PDF
申请/专利权人哈尔滨工业大学;
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申请/专利号CN201910530894.8
发明设计人徐平;李昱芝;张彬;杜耘辰;韩喜江;
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申请日2019-06-19
分类号B01J27/185(20060101);B01J35/10(20060101);C25B11/091(20210101);C25B1/04(20210101);
代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;
代理人岳泉清
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2022-08-23 12:34:30

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