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用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料

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摘要

一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，为硫族化物合金Te_aSi_bSb_100-(a+b)，其中48≤a≤60，8≤b≤40。本发明具有比常用的Ge₂Sb₂Te₅相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。

著录项

公开/公告号CN100477318C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-04-08

原文格式PDF
申请/专利权人上海交通大学;硅存储技术公司;
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申请/专利号CN200710109363.9
发明设计人冯洁;乔保卫;赖云峰;蔡炳初;陈邦明;
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申请日2005-08-11
分类号H01L45/00(20060101);G11C11/56(20060101);G11B7/243(20060101);C22C29/00(20060101);G03C1/705(20060101);
代理机构31201 上海交达专利事务所;
代理人王锡麟;王桂忠
地址 200240 上海市闵行区东川路800号
入库时间 2022-08-23 09:02:02

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-10-02

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 45/00 授权公告日:20090408 终止日期:20120811 申请日:20050811

专利权的终止
2009-04-08

授权

授权
2008-02-27

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-01-09

公开

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