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公开/公告号CN109585112B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-12
原文格式PDF
申请/专利权人 钢铁研究总院;
申请/专利号CN201811406357.4
发明设计人 董生智;李卫;李磊;徐吉元;陈红升;李栋;
申请日2018-11-23
分类号H01F1/057(20060101);
代理机构11386 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人姚东华
地址 100081 北京市海淀区学院南路76号
入库时间 2022-08-23 12:36:32
机译: 一种性能改进的稀土永磁材料和稀土永磁材料的制备方法
机译: 具有纳米晶体结构的各向异性无稀土基质结合高性能永磁体及其制备方法
机译: 具有纳米晶体结构的各向异性很少漂浮的基体结合的高性能永磁体及其生产方法
机译:具有高磁性能的稀土永磁材料的改进电绝缘性
机译:一种利用低温电子显微镜数据定相具有低非晶体对称性的晶体结构的改进方法
机译:一种新的低压高性能双端口7-CNT SRAM单元,具有改进的基于差分基准的读出放大器
机译:一种高性能65 W通用AC-DC转换器,使用变频器 - 整流器变压器,具有改进的降压能力
机译:一种基于GIS的数字高程模型(DEM)校正方法,以导出具有改进输送能力的测深数据。
机译:一种改进的三相电压源转换器,在不平衡条件下具有高性能操作
机译:具有砷,卤素混合桥接的第一种Organogallium四元环化合物:ph2Gaas(sime3)2Ga(ph)2Cl的合成和晶体结构