首页> 中国专利> 在硅片上制备选择性掺杂结构的制备方法及太阳能电池片

在硅片上制备选择性掺杂结构的制备方法及太阳能电池片

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

本发明涉及在硅片上制备选择性掺杂结构的制备方法及太阳能电池片，选择性掺杂结构包括轻掺杂区和重掺杂区，制备方法包括以下步骤：在硅片的受光侧或背光侧由内至外依次设置第一杂质源层、阻挡层和第二杂质源层，第二杂质源层中的杂质源与第一杂质源层中的杂质源相对于硅片的掺杂属性相同，且第二杂质源层中的杂质源的浓度更高；通过高温推进方式使得第一杂质源层中的杂质源掺杂进硅片中并在硅片表面形成面状的轻掺杂区；通过激光推进方式在指定区域内使得第一杂质源层和第二杂质源层中的杂质源向硅片内推进，形成重掺杂区。本发明实施例的制备方法使制备所得的轻掺杂区的表面掺杂浓度更低，重掺杂区的表面掺杂浓度更高，且该制备方法清洁无污染。

著录项

公开/公告号CN110335814B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-22

原文格式PDF
申请/专利权人晶澳(扬州)太阳能科技有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201910604535.2
发明设计人吴兰峰;蒋秀林;张俊兵;
展开▼

申请日2019-07-05
分类号H01L21/225(20060101);H01L21/268(20060101);H01L21/324(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/068(20120101);
代理机构31300 上海华诚知识产权代理有限公司;
代理人徐颖聪
地址 225131 江苏省扬州市扬州经济开发区建华路1号
入库时间 2022-08-23 12:39:04

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 在硅片上制备选择性掺杂结构的制备方法及太阳能电池片 [P] . 中国专利： CN110335814B . 2021.10.22
2. 一种太阳能电池选择性掺杂结构的制备方法及太阳能电池片 [P] . 中国专利： CN113529022A . 2021-10-22
3. Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL INGOT AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL WAFER PRODUCED FROM THE Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL INGOT [P] . 日本专利： JP2012006829A . 2012-01-12

机译：掺Si的GaAs单晶硅片及其制备方法，以及掺Si的GaAs单晶硅片由Si掺杂的GaAs单晶硅片制成
4. Method for producing e.g. two-stage selective solar cell emitter, involves producing dopant source on surface of semiconductor body, structuring dopant source, and inserting dopants from structured dopant source into semiconductor body [P] . 德国专利： DE102009034087A1 . 2011-01-27

机译：生产方法例如两级选择性太阳能电池发射极，涉及在半导体本体的表面上产生掺杂剂源，构造掺杂剂源，以及将来自结构化掺杂剂源的掺杂剂插入半导体本体中
5. SELECTIVELY PATTERNED NANO-POROUS STRUCTURE ON SILICON SUBSTRATE FOR SOLAR CELL AND PREPARATION METHOD THEREOF [P] . 韩国专利： KR101090397B1 . 2011-12-06

机译：太阳能电池硅基质上的选择性刻蚀纳米多孔结构及其制备方法