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光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及其制造方法

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本实施方式提供一种光刻用下层膜形成材料，其含有下述式(1)所示的化合物或包含源自下述式(1)所示的化合物的结构单元的树脂中的至少任一种。式(1)中，R1为碳数1～60的2n价基团或单键，R2各自独立地为卤素原子、碳数1～10的直链状、支链状或者环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、硫醇基、羟基或羟基的氢原子被酸解离性基团取代而成的基团，在同一萘环或苯环中可以相同也可以不同，此处，至少1个R2为羟基的氢原子被酸解离性基团取代而成的基团，n为1～4的整数，n为2以上的整数时，n个[]内的结构单元的结构式可以相同也可以不同，X表示氧原子、硫原子或未桥接，m2各自独立地为0～7的整数，其中，至少1个m2为1～7的整数，q各自独立地为0或1。

著录项

公开/公告号CN107949808B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-22

原文格式PDF
申请/专利权人三菱瓦斯化学株式会社;
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申请/专利号CN201680050394.9
发明设计人樋田匠;牧野嶋高史;佐藤隆;越后雅敏;
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申请日2016-08-25
分类号G03F7/11(20060101);C07D311/78(20060101);G03F7/26(20060101);H01L21/027(20060101);
代理机构11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇;李茂家
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 12:39:33

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2. 光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及其制造方法、图案形成方法、树脂、以及纯化方法 [P] . 中国专利： CN107949808A . 2018-04-20
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机译：成膜材料，用于光刻的成膜组合物，光学部件形成材料，抗蚀剂组合物，抗蚀剂图案形成方法，用于抗蚀剂的永久膜，辐射敏感性组合物，非晶膜的制造方法，用于光刻的下层膜形成材料，用于光刻的下层成膜组合物，用于光刻的下层膜的制造方法和电路图案形成方法
4. Lower layer film forming material for lithography, composition for lower layer film formation for lithography, lower layer film for lithography and manufacturing method thereof, pattern forming method, resin, and purification method [P] . 日本专利： JPWO2017038645A1 . 2018-06-14

机译：用于光刻的下层膜形成材料，用于光刻的下层膜形成用组合物，用于光刻的下层膜及其制造方法，图案形成方法，树脂和纯化方法
5. A lower layer film forming material for lithography, a composition for forming a lower layer film for lithography, a lower layer film for lithography and a manufacturing method thereof, a pattern forming method, a resin, and a refining method [P] . 韩国专利： KR20180048733A . 2018-05-10

机译：用于光刻的下层膜形成材料，用于形成用于光刻的下层膜的组合物，用于光刻的下层膜及其制造方法，图案形成方法，树脂和精制方法