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一种超宽可见到近红外的长余辉荧光粉及其制备方法

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本发明属于发光材料领域，公开了一种超宽可见到近红外的长余辉荧光粉及其制备方法。所述长余辉荧光粉的表达通式为Sr2‑xSnO4:xTm3+；其中0≤x≤0.05；Tm取代晶体中的Sr，x表示取代率；其晶体结构属于四方晶系，激活离子为Tm3+。分别称取锶、锡、铥金属或含锶、锡、铥的化合物原料研磨混匀后在氧化性气氛及800～900℃温度下预烧，然后取出研磨混匀后在氧化性气氛及1350～1500℃温度下灼烧，得到超宽可见到近红外的长余辉荧光粉。本发明仅通过单一的Tm离子掺杂，在锡酸盐基质中实现了可见到近红外均有长余辉发光的性能，具有超宽的长余辉发射带。

著录项

公开/公告号CN109810700B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-26

原文格式PDF
申请/专利权人华南理工大学;
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申请/专利号CN201910041981.7
发明设计人彭明营;熊普先;李景明;郑炽彬;
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申请日2019-01-16
分类号C09K11/66(20060101);
代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;
代理人罗啸秋
地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号
入库时间 2022-08-23 12:40:28

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