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五铜化铀单晶薄膜的制备方法、五铜化铀单晶薄膜

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本发明提供了一种五铜化铀单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供一反应腔室，所述反应腔室中包括一样品台；将一铀块装入一蒸发源，并将装有所述铀块的所述蒸发源安装至所述反应腔室中；将所述反应腔室抽真空；加热所述蒸发源以去除所述铀块中的杂质；将一铜单晶衬底放置在所述样品台上，并使得所述铜单晶衬底表面朝向所述蒸发源；以及继续加热所述蒸发源以使所述铀块中的铀原子蒸发到所述铜单晶衬底上，使得所述铀原子在所述铜单晶衬底上生长并结晶，从而得到所述五铜化铀单晶薄膜。本发明提供了一种全新的五铜化铀单晶薄膜的制备方法。本发明还提供一种由所述制备方法制备的五铜化铀单晶薄膜以及五铜化铀单晶薄膜的应用。

著录项

公开/公告号CN110699643B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-09

原文格式PDF
申请/专利权人中国工程物理研究院材料研究所;
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申请/专利号CN201911099278.8
发明设计人冯卫;陈秋云;刘琴;谭世勇;
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申请日2019-11-12
分类号C23C14/16(20060101);C23C14/24(20060101);C30B23/02(20060101);C30B23/06(20060101);C30B29/52(20060101);
代理机构44334 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司;
代理人许春晓;关雅慧
地址 621908 四川省绵阳市江油市华丰新村9号
入库时间 2022-08-23 12:46:37

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