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一种纳米晶MoSi2涂层的制备方法及纳米晶MoSi2涂层

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本发明涉及高温涂层材料技术领域，具体公开了一种纳米晶MoSi2涂层的制备方法及纳米晶MoSi2涂层，MoSi2涂层的制备方法包括以下步骤：将基底置于磁控溅射系统的腔室中，抽真空后通入惰性气体，加热基底至600‑800℃，同时开启钼靶和硅靶的电源进行共沉积，得到MoSi2涂层；其中，钼靶为1个，硅靶为2个，共沉积过程中，控制钼靶和硅靶的溅射速率相同。本发明的纳米晶MoSi2涂层的制备方法简单，能够在基底上原位合成化学计量比的MoSi2涂层，不需要再经过退火处理，能够避免在退火过程中发生晶粒变大以及膜基结合力变弱等问题，同时避免在涂层中引入其它非化学计量比的组成相。

著录项

公开/公告号CN113046714B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-23

原文格式PDF
申请/专利权人西南大学;
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申请/专利号CN202110275815.0
发明设计人李凤吉;游宇航;张善勇;聂彩雯;
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申请日2021-03-15
分类号C23C14/35(20060101);C23C14/06(20060101);
代理机构11919 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人马肃
地址 400715 重庆市北碚区天生路2号西南大学
入库时间 2022-08-23 12:50:12

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