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中红外波段激光器外延结构、中红外波段微腔激光器及其制备方法和应用、检测器件

摘要

本发明提供了一种中红外波段激光器外延结构、中红外波段微腔激光器及其制备方法和应用、检测器件,涉及半导体器件技术领域,包括依次设置于衬底上的过滤缓冲层、n型波导层、n型限制层、有源区、p型限制层、p型波导层和p型覆盖层;过滤缓冲层包括InxGa1‑xAsySb1‑y,其中,0

著录项

  • 公开/公告号CN112421375B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长春理工大学;

    申请/专利号CN202011298766.4

  • 申请日2020-11-18

  • 分类号H01S5/028(20060101);H01S5/06(20060101);H01S5/10(20210101);

  • 代理机构11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人陈露

  • 地址 130000 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号

  • 入库时间 2022-08-23 12:51:34

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