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沉淀二氧化硅制备方法，具有特殊性能的沉淀二氧化硅及其尤其用于增强聚合物的用途

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本发明涉及沉淀二氧化硅的制备方法以及沉淀二氧化硅，该沉淀二氧化硅由在其表面上存在小二氧化硅初级粒子的大二氧化硅初级粒子的聚集体形成，这些二氧化硅具有：CTAB比表面积(SCTAB)为60‑400m2/g，在超声解附聚之后通过XDC粒度测量法测量的聚集体的d50中位尺寸为：d50(nm)>(6214/SCTAB(m2/g))+23，孔体积分布为：V(d5‑d50)/V(d5‑d100)>0.906–(0.0013x SCTAB(m2/g))，以及孔尺寸分布为：Mode(nm)>(4166/SCTAB(m2/g))–9.2。本发明还涉及这些二氧化硅作为聚合物的增强填料的用途。

著录项

公开/公告号CN108002398B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-28

原文格式PDF
申请/专利权人罗地亚管理公司;
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申请/专利号CN201710996971.X
发明设计人 E·阿莱恩;J·埃尔南德兹;L·梵泰隆;L·古埃;M·埃尔乌;
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申请日2009-03-09
分类号C01B33/193(20060101);C01B33/12(20060101);
代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;
代理人张力更
地址法国欧贝维利耶
入库时间 2022-08-23 12:53:06

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专利
中文文献
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