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一种多晶SiC—B4C—金刚石三层复合材料及其制备方法

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本发明涉及一种多晶SiC—B4C—金刚石三层复合材料及其制备方法，属于无机非金属材料领域，所述方法以B4C多晶块体或粉末、SiC多晶块体或粉末、金刚石粉末为原料，通过对原料进行净化处理，预压成型，预压成型的原料用金属包裹体包裹，装配高压组装单元，放置于超高压设备中，在600‑2300℃，1‑25 GPa高温高压条件下烧结，制得多晶SiC—B4C—金刚石三层复合材料；利用本发明所制备的SiC—B4C—金刚石三层复合块体材料具有多晶金刚石、多晶B4C与多晶SiC三层结构，金刚石层、B4C层与SiC层经高温高压烧结在一起，三层多晶体结合紧密，晶粒大小分布均匀，致密度高；该多晶SiC—B4C—金刚石三层复合材料既具备金刚石层高硬度高断裂韧性的特点，又结合了B4C密度小以及SiC成本低的优点。

著录项

公开/公告号CN111592356B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-31

原文格式PDF
申请/专利权人欧阳晓平;
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申请/专利号CN202010516760.3
发明设计人欧阳晓平;王海阔;欧阳潇;谈仲军;
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申请日2020-06-09
分类号C04B35/52(20060101);C04B35/565(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/64(20060101);
代理机构41152 郑州明德知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人张献伟
地址 450001 河南省郑州市高新技术产业开发区莲花街100号
入库时间 2022-08-23 12:53:23

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