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一种含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al异质结的LED及其制备方法

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本发明公开了一种含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al异质结的LED的制备方法，其特征在于，包括在ITO衬底上生长ZnO:Cu/ZnO:Al异质结，将PMOT和PPV的混合溶液旋涂于ZnO:Cu/ZnO:Al异质结的ZnO:Cu多晶层表面进行热处理，最后在ZnO:Cu多晶层表面镀上Ti电极，即得；所述的在ITO衬底上生长ZnO:Cu/ZnO:Al异质结包括先在ITO衬底上生长ZnO:Al多晶层，然后将其放入乙酸锌和硝酸铜的混合溶液中，在ZnO:Al多晶层表面上生长ZnO:Cu多晶层，最终，ITO衬底上得到ZnO:Cu/ZnO:Al异质结。本发明经过基于半导体能带工程的光谱调制，实现了490nm的主发光峰，能提供更为优秀的光生物效应。本发明制备方法过程简单安全、所用设备和原料价格低廉，适合产业化大规模制备。

著录项

公开/公告号CN110783472B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-04

原文格式PDF
申请/专利权人长安大学;
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申请/专利号CN201910937846.0
发明设计人段理;魏星;郭婷婷;王昭;
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申请日2019-09-30
分类号H01L51/50(20060101);H01L51/54(20060101);H01L51/56(20060101);
代理机构61216 西安恒泰知识产权代理事务所;
代理人孙雅静
地址 710064 陕西省西安市雁塔区二环南路中段126号
入库时间 2022-08-23 12:54:08

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