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用于在垂直STTM叠置体中改善稳定性的非晶籽晶层

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一种用于磁性隧道结的材料层叠置体，材料层叠置体包括：固定磁性层；电介质层；自由磁性层；以及非晶导电籽晶层，其中，固定磁性层设置在电介质层与籽晶层之间。一种非易失性存储器器件，包括材料叠置体，材料叠置体包括：非晶导电籽晶层；以及固定磁性层，其与籽晶层并置并接触。一种方法，包括：在存储器器件的第一电极上形成非晶籽晶层；在非晶籽晶层上形成材料层叠置体，材料叠置体包括设置在固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层，其中固定磁性层。

著录项

公开/公告号CN106575519B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-07

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN201480081448.9
发明设计人 M·L·多齐;K·奥乌兹;B·S·多伊尔;C·C·郭;R·S·周;S·苏里;
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申请日2014-09-26
分类号G11C11/16(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人林金朝;王英
地址美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 12:56:05

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