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一种通过门电压调控二维磁性半导体材料磁性能的方法

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本发明提供了一种通过门电压调控二维磁性半导体材料磁性能的方法。在二维磁性半导体材料居里温度以下，通过对二维磁性半导体材料进行电子或空穴掺杂，使费米能级上下移动，由于多子、少子态密度的不同，导致静磁矩的变化，实现了在不同的门电压下磁学性质的电调控。基于该方法设计的自旋场效应器件实现了门电压对二维磁性半导体的磁性能调控，为未来超薄轻量化，柔性自旋场效应器件，以及二维堆垛结构多铁柔性器件开创了新的研究方向。

著录项

公开/公告号CN109768157B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-10

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院金属研究所;
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申请/专利号CN201810709285.4
发明设计人韩拯;张志东;王志;李小茜;王汉文;陈茂林;孙兴丹;
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申请日2018-07-02
分类号H01L43/12(20060101);H01L43/02(20060101);
代理机构21001 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司;
代理人崔晓蕾
地址 110015 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
入库时间 2022-08-23 12:56:43

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