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一种多晶体材料缺陷尺寸的超声测量方法

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本发明公开了一种多晶体材料缺陷尺寸的超声测量方法，其包括以下步骤：S1、基于背散射响应模型，建立多晶体材料晶粒噪声的瑞利分布，以及晶粒噪声与缺陷回波之间的相干缺陷回波幅值的莱斯分布；S2、根据所述瑞利分布和莱斯分布，构建缺陷回波幅值的限界分布模型，并通过其逆累积分布计算置信上限和下限；S3、基于超声测量模型和C扫描实验测得的相干缺陷回波幅值，以步骤S2中得到的置信上限和下限，获取所述多晶体材料的缺陷尺寸的区间估计。本发明能够在低信噪比的环境下，对微小缺陷的尺寸进行有效的测量。

著录项

公开/公告号CN113588794B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-17

原文格式PDF
申请/专利权人中南大学;
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申请/专利号CN202111139539.1
发明设计人李雄兵;宋永锋;倪培君;史亦韦;郑孟;
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申请日2021-09-28
分类号G01N29/04(20060101);G01N29/06(20060101);G01N29/44(20060101);G06F17/14(20060101);G06F30/20(20200101);
代理机构43265 长沙伊柏专利代理事务所(普通合伙);
代理人罗莎
地址 410000 湖南省长沙市岳麓山左家垅
入库时间 2022-08-23 12:57:53

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