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一种惠斯通电桥式传感器的零位温度漂移估算方法

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本发明提供一种惠斯通电桥式传感器的零位温度漂移估算方法，该方法建立了描述惠斯通电桥式传感器零位温度漂移的准线性模型。利用这一准线性模型，能够推导惠斯通电桥式传感器零位的理论温度依赖关系，估算惠斯通电桥式传感器在任意温度下的零位温度漂移量。为惠斯通电桥式传感器的校准提供数据支持，提高惠斯通电桥式传感器的校准精度。上述准线性模型为解释惠斯通电桥式传感器的零位温度漂移的原因提供了一个清晰的物理图像，有助于理解惠斯通电桥式传感器产生温度漂移的原因。并且该准线性模型适用于惠斯通电桥式磁阻传感器、采用惠斯通电桥结构的称重元件、温度传感器、电场传感器等其它惠斯通电桥结构传感器。

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公开/公告号CN113091773B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-01

原文格式PDF
申请/专利权人北京大学;
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申请/专利号CN202110254601.5
发明设计人于向前;宗秋刚;肖池阶;刘斯;曲亚楠;陈鸿飞;邹鸿;施伟红;王永福;陈傲;宋思宇;高爽;邵思霈;
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申请日2021-03-09
分类号G01D3/036(20060101);G01D18/00(20060101);
代理机构11479 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人高园园
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2022-08-23 13:03:23

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2022-02-01

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1. 一种惠斯通电桥式传感器的零位温度漂移估算方法 [P] . 中国专利： CN113091773B . 2022.02.01
2. 一种惠斯通电桥式传感器的零位温度漂移估算方法 [P] . 中国专利： CN113091773A . 2021-07-09
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