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一种高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备工艺

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摘要

本发明公开了一种高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备工艺，属于铝基复合材料技术领域。该工艺采用粉末冶金法，将SiC颗粒表面低温氧化处理后，将SiC颗粒、铝合金粉末、镁粉均匀混合后，装入模具，冷压后，分别在低温和高温热压烧结。本发明通过SiC颗粒表面低温预氧化、添加镁粉作为助烧剂、分步热压等工艺相结合的方法，可有效促进SiC颗粒与铝基体的润湿性，增强两者的界面结合，消除界面附近孔洞缺陷，大幅提升材料致密度和性能，同时降低热压压力，减少模具成本和对大型设备的依赖性，大幅降低材料制备成本，提高高体分SiC/Al坯锭尺寸，实现高致密度、高性能、高体分SiC/Al低成本制备。

著录项

  • 公开/公告号CN112267039B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院金属研究所;

    申请/专利号CN202011075947.0

  • 发明设计人 王东;王全兆;马宗义;肖伯律;倪丁瑞;

    申请日2020-10-10

  • 分类号C22C1/05(20060101);C22C29/06(20060101);B22F3/14(20060101);

  • 代理机构21002 沈阳科苑专利商标代理有限公司;

  • 代理人于晓波

  • 地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

  • 入库时间 2022-08-23 13:03:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-01

    授权

    发明专利权授予

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