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具有保护栅极电介质的阻挡层的基于FET的湿度传感器

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摘要

说明性湿度传感器可以包括具有源极和漏极的衬底，其中所述漏极与源极横向隔开。在所述源极和漏极之间的空间中设置有栅极堆叠，以形成晶体管。栅极堆叠可以包括位于所述衬底上的栅极绝缘体，以形成栅极绝缘体/衬底界面。栅极堆叠可以进一步包括所述栅极绝缘体上方的阻挡层。所述阻挡层可以被构造成充当对移动电荷、湿气和/或其他污染物的屏障，并且可以帮助防止这样的污染物到达所述栅极绝缘体/衬底界面。栅极堆叠可以进一步包括所述阻挡层上方的湿度传感层。当暴露于湿气时，所述湿度传感层可以调节在所述栅极绝缘体下方并且在所述源极和漏极之间的衬底中的导电沟道。在一些情况下，湿度水平可以通过监测在源极和漏极之间流动的电流来确定。

著录项

公开/公告号CN107449811B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-15

原文格式PDF
申请/专利权人霍尼韦尔国际公司;
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申请/专利号CN201710333712.9
发明设计人 C.科比亚努;R.戴维斯;A.斯特拉图拉特;B.塞尔班;O.比尤;C.G.博斯坦;M.布雷兹努;S.D.科斯蒂;
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申请日2017-05-12
分类号G01N27/22(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人赵苏林;李炳爱
地址美国新泽西州
入库时间 2022-08-23 13:07:22

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