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一种基于分布电容的辐射加固SiC器件结构

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本发明公开了一种基于分布电容的辐射加固SiC器件结构；本发明在有源区的低掺杂浓度的第一掺杂类型的外延层内，交错插入分布的浮空的高掺杂浓度的第二掺杂类型结构，纵向位置相同的同层高掺杂浓度的第二掺杂类型结构间隔若干有源区元胞设置；各层之间的低掺杂浓度的第一掺杂区域与高掺杂浓度的第二掺杂区域交替复合结构形成PN交替电容，从顶部电极到底部电极呈纵向排布状态，分别与非有源区内的对应同一层的用于存储电荷的浮空的PN结电容连接。本发明通过多个串联PN结分布电容形成的稳压作用，限制单粒子输入时的局部电场，并对单粒子路径上的局部电流进行分流，以“暂存至分布电容处”，从而限制器件的局部功率，防止过热的产生。

著录项

公开/公告号CN113540209B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-05-20

原文格式PDF
申请/专利权人复旦大学;
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申请/专利号CN202110658972.X
发明设计人孙博韬;张清纯;
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申请日2021-06-04
分类号H01L29/06;H01L29/78;
代理机构上海正旦专利代理有限公司;
代理人王洁平
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
入库时间 2022-08-23 13:41:07

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2022-05-20

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