公开/公告号CN110838519B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-19
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州电子科技大学;
申请/专利号CN201910977844.4
申请日2019-10-15
分类号H01L29/22;H01L29/24;H01L29/732;H01L21/34;H01L31/0296;H01L31/032;H01L31/11;H01L41/08;H01L41/113;H01L41/18;
代理机构杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人杨舟涛
地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
入库时间 2022-09-06 00:36:03
机译: 制备P型ZnO基复合半导体层的方法,制备ZnO基复合半导体元件的方法,P型ZnO基复合半导体,单晶层,ZnO基复合半导体粉体,ZnO
机译: 氧化锌(ZnO)基单晶纳米结构,制备ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,ZnO基单晶薄膜和ZnO基材料包含ZnO薄膜的方法
机译: 改性的Zno颗粒的制备方法,改性的Zno颗粒,在材料中掺入改性的Zno颗粒的方法以及使用改性的Zno颗粒