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公开/公告号CN112518423B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-19
原文格式PDF
申请/专利权人 华中科技大学;
申请/专利号CN202011541842.X
发明设计人 彭芳瑜;杨明辉;黄宇;邓犇;闫蓉;韩富强;
申请日2020-12-24
分类号B23Q17/00;
代理机构华中科技大学专利中心;
代理人孔娜;李智
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2022-09-06 00:36:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-19
授权
发明专利权授予
机译: 在局部多物理场分析组件中,用于测量微机电系统分析区域温度场的装置,具有处理单元,用于从物体通量中减去处理后的参考通量以获得温度场。
机译: 测量氮化物表观生长过程中薄膜纵向温度场的装置和方法
机译: SHF辐射加热温度场的过程测量及其实现装置
机译:高速切削中正交切削温度场测量的实验技术
机译:用于确定温度场对钢同步圈精密成形过程中的温度场影响的多场耦合有限元分析
机译:分子静力学方法模拟单晶硅纳米尺度正交切削过程中的温度场
机译:大结构热变形精度测量过程中温度场的分析
机译:瞬态正交金属切削中温度和变形场的测量和模拟。
机译:球头铣削钛合金铣削刀具啮合切削区的温度场
机译:轴对称温度场中集中器的热变形