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半导体制造装置和进行该半导体制造装置的异常检测、异常原因的确定或异常预测的方法

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为了检测半导体制造装置的异常，准备了从表示半导体制造装置的状态的多个装置状态参数选择两个监视对象参数分别作为第一轴和第二轴而成的二轴坐标系。选择例如在成膜装置中实施的过去的成膜处理的累积膜厚和用于控制反应容器内的压力而设置在真空排气线路上的压力调整阀的开度作为监视对象参数。将过去在半导体制造装置正常运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出。在标绘点组的周围设定正常状态和异常状态。将半导体制造装置当前运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出，基于该标绘点和所述边界的位置关系，确定有无异常的发生以及异常的种类。

著录项

公开/公告号CN100536076C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-09-02

原文格式PDF
申请/专利权人东京毅力科创株式会社;
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申请/专利号CN200580045356.6
发明设计人坂本浩一;小幡穣;小山典昭;
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申请日2005-12-22
分类号H01L21/205(20060101);C23C16/44(20060101);
代理机构11322 北京尚诚知识产权代理有限公司;
代理人龙淳
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:03:16

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-09-02

授权

授权
2008-02-20

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-12-26

公开

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外文文献

1. 半导体制造装置、该半导体制造装置进行异常检测、异常原因的确定或异常预测的方法、和记录有用于实施该方法的计算机程序的存储介质 [P] . 中国专利： CN101095214A . 2007-12-26
2. 半导体制造装置用旋转机的寿命预测方法和半导体制造装置 [P] . 中国专利： CN1240108C . 2006.02.01
3. SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS, ABNORMALITY DETECTION IN SUCH SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS, METHOD FOR SPECIFYING ABNORMALITY CAUSE OR PREDICTING ABNORMALITY, AND RECORDING MEDIUM WHEREIN COMPUTER PROGRAM FOR EXECUTING SUCH METHOD IS RECORDED [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1845553B1 . 2009-10-21

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4. SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS, ABNORMALITY DETECTION IN SUCH SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS, METHOD FOR SPECIFYING ABNORMALITY CAUSE OR PREDICTING ABNORMALITY, AND RECORDING MEDIUM WHEREIN COMPUTER PROGRAM FOR EXECUTING SUCH METHOD IS RECORDED [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1845553A4 . 2008-11-05

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5. SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS, ABNORMALITY DETECTION IN SUCH SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS, METHOD FOR SPECIFYING ABNORMALITY CAUSE OR PREDICTING ABNORMALITY, AND RECORDING MEDIUM WHEREIN COMPUTER PROGRAM FOR EXECUTING SUCH METHOD IS RECORDED [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1845553A1 . 2007-10-17

机译：半导体制造装置，这种半导体制造装置中的异常检测，指定异常原因或预测异常的方法以及在执行该方法的计算机程序中记录的介质