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一种设置空心阴极等离子体的PLD系统及薄膜的制备方法

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本发明公开了一种设置空心阴极等离子体的PLD系统及薄膜的制备方法，该系统在现有的脉冲激光沉积系统(PLD)的真空腔体中设置等离子体放电系统，只需将现有的PLD系统中的气路不锈钢管中间部分更换为氧化铝绝缘陶瓷管，一端连接电源，另一端连接气路，即形成放电装置。该装置可以使氧等离子体负辉区重叠，电子与气体原子的碰撞次数增加，电离效果显著提高，有效提高脉冲激光沉积腔体中氧等离子体的浓度，降低ITO薄膜中氧空位的含量，改善非晶ITO薄膜晶体管阈值电压偏负的问题，一定程度上优化了器件的亚阈值摆幅和迁移率，有利于改善薄膜晶体管的性能。

著录项

公开/公告号CN114059022B

专利类型发明专利
公开/公告日2022.10.25

原文格式PDF
申请/专利权人西安交通大学;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司;
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申请/专利号CN202111322836.X
发明设计人马飞;路文墨;王琛;李奉南;
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申请日2021.11.09
分类号C23C14/28;C23C14/08;C23C14/54;
代理机构西安通大专利代理有限责任公司;
代理人张宇鸽
地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
入库时间 2022-11-28 17:52:15

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2022-10-25

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