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用于多个存储器阵列存储器空间的写入缓冲器实施方案

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本申请涉及用于多个存储器阵列存储器空间的写入缓冲器实施方案。一种存储器装置包括：存储器阵列，其包含可编程为单层级存储器单元SLC的存储器单元和可编程为三层级存储器单元TLC的存储器单元；存储器控制单元，其以操作方式耦合到所述存储器阵列且包含处理器，所述处理器配置成用SLC数据和TLC数据编程所述存储器单元；以及写入缓冲器，用于缓冲写入到所述存储器阵列的数据，所述写入缓冲器包含SLC数据存储器空间和TLC数据存储器空间，其中所述存储器控制单元配置成当所述TLC数据存储器空间存在溢出时，将TLC数据存储在所述SLC数据存储器空间中。

著录项

公开/公告号CN112397118B

专利类型发明专利
公开/公告日2022.11.04

原文格式PDF
申请/专利权人美光科技公司;
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申请/专利号CN202010799939.4
发明设计人 G·卡列洛;
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申请日2020.08.11
分类号G11C8/06;G11C16/16;
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址美国爱达荷州
入库时间 2022-11-28 17:55:33

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法律状态
2022-11-04

授权

发明专利权授予

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