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薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法

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摘要

本发明公开了一种薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法，属于GaN基发光二极管技术领域。该方法包括：在蓝宝石衬底上生长多层GaN基发光二极管材料，包括非掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱、P型GaN层；在GaN基发光二极管材料上制备GaN基发光二极管；蓝宝石衬底上均匀涂布一层有机聚合物；利用压印模板，在有机聚合物上形成光子晶格结构；从带有光子晶格结构的有机聚合物一面，激光辐照所述蓝宝石衬底，至蓝宝石衬底与非掺杂的GaN层分离，同时，非掺杂的GaN层材料形成光子晶格结构，从而得到薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管。本发明适合大面积制备薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管。

著录项

  • 公开/公告号CN100561764C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-11-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京大学;

    申请/专利号CN200810105178.7

  • 发明设计人 康香宁;章蓓;包魁;代涛;张国义;

    申请日2008-04-29

  • 分类号H01L33/00(20060101);

  • 代理机构北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人贾晓玲

  • 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-09

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20171221 变更前: 变更后: 申请日:20080429

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-09-15

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20170825 变更前: 变更后: 申请日:20080429

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-09-15

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20170825 变更前: 变更后: 申请日:20080429

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-12-18

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20131202 申请日:20080429

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-12-18

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20131202 申请日:20080429

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-12-18

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20131202 申请日:20080429

    专利申请权、专利权的转移

  • 2009-11-18

    授权

    授权

  • 2009-11-18

    授权

    授权

  • 2009-11-18

    授权

    授权

  • 2008-12-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-12-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-12-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-10-08

    公开

    公开

  • 2008-10-08

    公开

    公开

  • 2008-10-08

    公开

    公开

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