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逻辑器件、生成地址的方法、集成电路制造系统和介质

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本发明涉及逻辑器件、生成地址的方法、集成电路制造系统和介质。用二进制存储器地址生成高速缓存地址的高速缓存逻辑器件，二进制存储器地址包括第一预定长度的第一二进制序列和第二预定长度的第二二进制序列，高速缓存逻辑器件包括：多个取代单元，多个取代单元中的每一个被配置成接收第一二进制序列的位的相应分配，并且用根据接收到的位的分配而选择的对应取代位串来替换其分配的位；映射单元，其被配置成组合多个取代单元输出的取代位串，以形成第二预定长度的一个或更多个二进制串；组合逻辑器件，其被布置成通过可逆运算将一个或更多个二进制串与第二二进制序列组合，以形成用作高速缓存存储器中的高速缓存地址的至少部分的二进制输出串。

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公开/公告号CN107203481B

专利类型发明专利
公开/公告日2023.01.03

原文格式PDF
申请/专利权人想象技术有限公司;
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申请/专利号CN201710160309.0
发明设计人 S·芬尼;
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申请日2017.03.17
分类号G06F12/0864;G06F12/1045;
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人吕俊刚;王青芝
地址英国赫特福德郡
入库时间 2023-01-12 18:57:00

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