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制备¹⁴⁷Pm高活度源的粉末冶金工艺

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本发明提供了一种降低原材料用量、降低活性层的自吸收，使放射源达到最大利用率，活度大于350mCi的¹⁴⁷Pm辐射源的改进的粉末冶金制备方法。该工艺包括下列步骤：(1)混合、搅拌(2)烘烤、(3)成型、(4)合膜、(5)烧结、恒温、轧制(6)合膜、退火、滚轧步骤，所述的步骤(1)中混合是将氧化钷与金粉按1∶5～1∶15的质量比例混合、搅拌；所述的步骤(5)中烧结温度790～810℃恒温3～5小时、轧制。

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公开/公告号CN100566891C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-12-09

原文格式PDF
申请/专利权人中国原子能科学研究院;
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申请/专利号CN200710087007.1
发明设计人孙玉华;简利民;冯嘉敏;许荣旺;李士英;平杰红;段利民;
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申请日2007-03-14
分类号B22F1/00(20060101);B22F3/00(20060101);
代理机构
代理人
地址 102413 北京市275信箱65分箱
入库时间 2022-08-23 09:03:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-03-10

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B22F1/00 授权公告日:20091209 终止日期:20190314 申请日:20070314

专利权的终止
2009-12-09

授权

授权
2009-12-09

授权

授权
2008-11-05

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-11-05

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-09-17

公开

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2008-09-17

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