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使用可变磁场控制生长的硅晶体的熔体-固体界面形状

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摘要

本发明公开了用于控制直拉法晶体生长装置内的晶体生长的方法和系统。在晶体生长装置内施加磁场，并且在从熔体拉制晶锭的同时改变该磁场以控制熔体-固体界面的形状。熔体-固体界面的形状响应于根据晶锭的长度改变的磁场形成为预期的形状。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-01-20

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 15/30 授权公告日:20100512 终止日期:20141129 申请日:20051129

专利权的终止
2010-05-12

授权

授权
2008-04-23

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-02-27

公开

公开

1. 使用可变磁场控制生长的硅晶体的熔体-固体界面形状 [P] . 中国专利： CN101133193B . 2010.05.12
2. 使用不平衡的磁场和共转来控制生长硅晶体的熔体-固体界面形状 [P] . 中国专利： CN102076890A . 2011-05-25
3. Controlling melt-solid interface shape of a growing silicon crystal using a variable magnetic field [P] . 美国专利： US7611580B2 . 2009-11-03

机译：使用可变磁场控制生长中的硅晶体的熔体-固体界面形状
4. Controlling melt-solid interface shape of a growing silicon crystal using a variable magnetic field [P] . 美国专利： US7223304B2 . 2007-05-29

机译：使用可变磁场控制生长中的硅晶体的熔体-固体界面形状
5. Controlling melt-solid interface shape of a growing silicon crystal using a variable magnetic field [P] . 美国专利： US2006144321A1 . 2006-07-06

机译：使用可变磁场控制生长中的硅晶体的熔体-固体界面形状