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磁阻效应元件和磁阻式随机存取存储器

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提供了一种可以用低电流反转磁化方向，具有低面电阻(RA)和高TMR比值的磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：膜叠层，其包括磁化自由层、磁化固定层和位于所述磁化自由层和所述磁化固定层之间的中间层，其中，所述磁化自由层包括其中磁化方向可以改变的磁性层，所述磁化固定层包括其中磁化方向被固定的磁性层，所述中间层是包含硼(B)和从由Ca、Mg、Sr、Ba、Ti和Sc组成的组中选出的元素的氧化物。通过所述中间层在所述磁化固定层和所述磁化自由层之间双向提供电流，使得所述磁化自由层的磁化可反转。

著录项

公开/公告号CN101154709B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-06-09

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社东芝;
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申请/专利号CN200710161358.2
发明设计人吉川将寿;甲斐正;永濑俊彦;北川英二;岸达也;与田博明;
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申请日2007-09-28
分类号
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人付建军
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:04:30

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-11-26

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 43/08 授权公告日:20100609 终止日期:20130928 申请日:20070928

专利权的终止
2010-06-09

授权

授权
2008-05-28

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-04-02

公开

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