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常压气相沉积制备氧化锡纳米线的方法

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本发明提供的常压气相沉积制备氧化锡纳米线的方法，属于氧化物半导体纳米材料领域，是将Sn粉和Fe粉均匀混合后放入刚玉舟中作为蒸发源，清洗后的空白硅片作为接收衬底放置在蒸发源的正上方；在水平管式炉中通入流量为70～90ml/min的氩气，然后将管式炉升温至880～910℃，到达设定温度后，将放有蒸发源和硅片的舟放入管式炉中，保温时间为20～30min，在炉子的温度降至室温后取出硅片，硅片上沉积一层白色SnO

著录项

公开/公告号CN101372358B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-06-02

原文格式PDF
申请/专利权人北京科技大学;
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申请/专利号CN200810224591.5
发明设计人常永勤;孔广志;林杰;龙毅;
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申请日2008-10-21
分类号
代理机构
代理人
地址 100083 北京市海淀区学院路30号
入库时间 2022-08-23 09:04:47

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-12-04

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01G 19/02 授权公告日:20100602 终止日期:20121021 申请日:20081021

专利权的终止
2010-06-02

授权

授权
2009-04-22

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-02-25

公开

公开

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