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MOS管阈值扩展电路和阈值扩展方法

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摘要

本发明公开了一种MOS管阈值扩展电路及阈值扩展方法，电路由阈值鉴别器和反相器二部分组成，阈值鉴别器包括NMOS管G

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-07-06

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03K 17/00 授权公告日:20100630 终止日期:20150521 申请日:20070521

专利权的终止
2010-06-30

授权

授权
2008-01-23

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-11-28

公开

公开

1. MOS管阈值扩展电路和阈值扩展方法 [P] . 中国专利： CN101079618B . 2010.06.30
2. 抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的CMOS电平转换电路 [P] . 中国专利： CN105871366B . 2018.11.09
3. Static random access memory cell, has bistable circuit with two nMOS transistors and two switch transistors having respective threshold voltages, where one threshold voltage is greater than other threshold voltage [P] . 法国专利： FR2891652A1 . 2007-04-06

机译：静态随机存取存储器单元具有双稳态电路，该双稳态电路具有两个具有各自阈值电压的nMOS晶体管和两个开关晶体管，其中一个阈值电压大于另一个阈值电压
4. The circuit and the threshold level voltage control manner null which possess the MOS transistor which can control threshold level [P] . 日本专利： JP3174852B2 . 2001-06-11

机译：具有可控制阈值电平的MOS晶体管的电路和阈值电平电压控制方式为零
5. CIRCUIT HAVING MOS TRANSISTOR FOR CONTROLLING THRESHOLD VOLTAGE AND METHOD FOR CONTROLLING THE THRESHOLD VOLTAGE [P] . 日本专利： JP2000260991A . 2000-09-22

机译：具有用于控制阈值电压的MOS晶体管的电路和用于控制阈值电压的方法