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使用多进制存储器中的一些存储块作为二进制存储块的非易失性半导体存储器件

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提供一种使用多进制存储器中的一些存储块作为二进制存储块的非易失性半导体存储器件。非易失性半导体存储器件包括存储单元阵列、接口和写入电路。写入电路可根据输入到接口的数据写入命令通过第一写入次序或第二写入次序选择性地将数据写入存储单元阵列中。当从接口输入根据第一写入次序的数据写入命令时，写入电路在标记数据具有第一值时执行命令，并在标记数据具有第二值时不执行命令。

著录项

公开/公告号CN1856839B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-10-06

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社东芝;三因迪斯克公司;
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申请/专利号CN200480027371.3
发明设计人永岛宏行;田中智晴;河合矿一;卡德科尔·N.·奎德尔;
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申请日2004-08-23
分类号G11C11/56(20060101);G11C16/22(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人岳耀锋
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:05:04

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-03-15

专利权的转移 IPC(主分类):G11C 11/56 登记生效日:20190222 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 申请日:20040823

专利申请权、专利权的转移
2016-11-16

专利权的转移 IPC(主分类):G11C11/56 登记生效日:20161027 变更前: 变更后: 申请日:20040823

专利申请权、专利权的转移
2016-11-16

专利权的转移 IPC(主分类):G11C 11/56 登记生效日:20161027 变更前: 变更后: 申请日:20040823

专利申请权、专利权的转移
2010-10-06

授权

授权
2010-10-06

授权

授权
2006-12-27

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-12-27

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-11-01

公开

公开
2006-11-01

公开

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