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形成具有不对称电介质区域的半导体器件的方法及其结构

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一种用于形成半导体器件(10)的方法，包括形成半导体衬底(2)；在该半导体衬底上形成具有第一侧面和第二侧面的栅电极(16)；在栅电极之下形成栅极电介质。该栅极电介质具有位于栅电极之下并邻近栅电极的第一侧面的第一区域(42)、位于栅电极之下并邻近栅电极的第二侧面的第二区域(44)、以及位于栅电极之下并介于第一区域和第二区域之间的第三区域(14)，其中第一区域比第二区域薄，第三区域比第一区域薄且比第二区域薄。

著录项

公开/公告号CN101385133B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-12-08

原文格式PDF
申请/专利权人飞思卡尔半导体公司;
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申请/专利号CN200680003369.1
发明设计人 L.·马修;V.·R.·克拉冈塔;D.·C.·辛格;
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申请日2006-02-01
分类号
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人付建军
地址美国得克萨斯
入库时间 2022-08-23 09:05:32

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-11-17

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/425 变更前: 变更后: 申请日:20060201

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2010-12-08

授权

授权
2010-12-08

授权

授权
2009-05-06

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-05-06

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-03-11

公开

公开
2009-03-11

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