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一种光子晶体或光子带隙垂直腔面发射激光器的制造方法

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该发明涉及VCSEL的制造方法，其提供一种制造包含微/纳结构模式横向选择层的VCSEL的方法，通过适当地控制局部刻蚀来得到该微/纳结构层。该发明能以非常高的精度来控制微/纳结构层的厚度。特别地，该发明涉及一种制造具有微/纳结构模式选择层的VCSEL的方法，该模式选择层用于控制VCSEL的横向电磁模式。

著录项

公开/公告号CN101467313B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-10-13

原文格式PDF
申请/专利权人阿赖特光子有限公司;
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申请/专利号CN200780019699.4
发明设计人达恩·比克达尔;斯文·比朔夫;迈克尔·尤尔;芒努斯·哈尔·马森;弗朗西斯·帕斯卡尔·罗姆斯塔德;
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申请日2007-05-29
分类号H01S5/183(20060101);
代理机构11243 北京银龙知识产权代理有限公司;
代理人张敬强
地址丹麦法鲁姆
入库时间 2022-08-23 09:05:34

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-10-13

授权

授权
2009-08-19

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-06-24

公开

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