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高性能多晶织构Fe-Ga基磁致伸缩薄片材料及其制备方法

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本发明涉及一种高性能多晶织构Fe-Ga基磁致伸缩薄片材料及其制备方法，材料成分为Fe_100-x-y-zGa_xM_yN_z，M为B、Nb、Cr、VC、TiC、MnS、AlN中的一种或多种，N为S、Sb、Sn中的一种或多种，其中x＝15～25，y＝0.5～3.0，z＝0.01～0.05，余量为铁。其工艺要点为：按所发明材料成分的要求，熔炼母合金，浇注合金锭；热锻开坯；轧制成适当厚度以及多种后续热处理。本发明的Fe-Ga基磁致伸缩薄片材料具有明显的{100}<001>立方织构或{110}<001>高斯织构，最大磁致伸缩系数(3/2)λ_s可达280×10^-6。

著录项

公开/公告号CN101465406B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-11-10

原文格式PDF
申请/专利权人北京科技大学;
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申请/专利号CN200910076722.4
发明设计人李纪恒;何承先;高学绪;包小倩;张茂才;
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申请日2009-01-16
分类号H01L41/20(20060101);H01L41/22(20060101);C22C38/00(20060101);C22C33/06(20060101);
代理机构
代理人
地址 100083 北京市海淀区学院路30号
入库时间 2022-08-23 09:05:43

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-11-10

授权

授权
2010-06-16

著录事项变更 IPC(主分类):H01L 41/20 变更前: 变更后: 申请日:20090116

著录事项变更
2009-08-19

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-06-24

公开

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