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一种用于微电子机械系统的碳化硅微通道的制作方法

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本发明是一种用于MEMS的碳化硅微通道、微通道阵列及其制备方法，它涉及半导体工艺加工衬底和化学气相沉积方法制备碳化硅。本发明在衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构，凹槽之间留出台面，凹槽和台面的几何尺寸包括深度、宽度和长度以及它们的分布方式根据需要而定。此凹槽微结构用作制备碳化硅微通道的模版。然后用化学气相沉积方法在模版上制备一厚层碳化硅材料，此层碳化硅不仅完全覆盖衬底表面的微结构包括凹槽和台面，它还在凹槽顶部形成封闭结构，这样就在衬底上形成了以凹槽为模版的碳化硅微通道、微通道阵列。

著录项

公开/公告号CN101468786B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-05-25

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN200710304217.1
发明设计人刘兴昉;孙国胜;赵永梅;王亮;王雷;赵万顺;曾一平;李晋闽;
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申请日2007-12-26
分类号H01L21/205(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:06:53

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-02-27

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 授权公告日:20110525 终止日期:20111226 申请日:20071226

专利权的终止
2011-05-25

授权

授权
2009-08-26

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-07-01

公开

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